トランジスタは真ん中のベースが電圧が流れて中性になるから、そこの部分が一定の電流になるのと。電流が流れるほど両脇のエミッターとコレクターの均衡バランスが崩れる為に、その分のバランスを補充する為により電流が流れる。という2重の仕組み
エミッタ→ベース→コレクターを通過するホールまたは電子(多数キャリア)の密度が周波数であり、周波数を安定させる為にベースは缶の長さが短くなっている。ベースの中にもともと存在しているのが少数キャリア。多数キャリアの通過量が電圧抵抗であり周波数。電流が流れすぎてベースの飽和した熱エネルギーが増えすぎると、逆に少数キャリアが多数キャリアと結びついて電圧抵抗を下げ熱を下げる効果がある
エミッタ→ベースに比べてベース→コレクターは太くて、アメリカの大学みたいな仕組みになっている。
熱の耐久性で当初半導体にはゲルマニウムが使用されていたのがシリコンに変化した。その半導体系の会社が多い地区で起こったitベンチャー企業革命なのでシリコンバレーなどと呼ばれていたらしい。
